武汉新芯集成电路获图像传感器专利，其制作方法受保护

据天眼查信息，武汉武汉新芯集成电路制造有限公司近期获得了一项涉及“图像传感器及其制备工艺”的新芯像传专利，专利编号为CN112397539B，集成该专利于2024年4月16日正式生效，电路其申请日期为2020年11月13日。获图

此项专利提出的感器图像传感器及其制备工艺主要包括以下步骤：首先，在基板上布置若干像素单元，专利作方这些像素单元被安置在基板内部的其制第一类型阱区中；接着，通过刻蚀工艺在相邻像素单元之间形成隔离沟槽；然后，法受在隔离沟槽周围的保护基板上进行第二类型离子注入，使之与第一类型阱区中的武汉离子形成PN结；最后，使用隔离层填充隔离沟槽。新芯像传这种设计将深度沟槽隔离（DTI）与离子注入形成PN结隔离相结合，集成在隔离沟槽周围的电路基板内形成PN结，有效阻止了缺陷造成的获图载流子窜入读取区和感光区，从而减少暗电流并提升光学和电气隔离效果。此外，减小了隔离区的面积，从而提升了图像传感器的芯片面积利用率。

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